苏州欧尔佳电子科技有限公司

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更新 2022-05-28 16:58
 
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江苏 苏州市

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详细说明
型号/规格: IPP045N10N3


数据列表 IPB042N10N3 G, IP(I,P)045N10N3 G
产品相片 TO-220-3
标准包装   500
类别

分立半导体产品

家庭

FET - 单

系列 OptiMOS
包装   管件  
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 4.5 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 150μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 117nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 8410pF @ 50V
功率 - 最大值 214W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220-3
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