S8550 TWGMC三极管(BJT)

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S8550晶体管（PNP）
S8550
S8550
特征



集电极电流：IC=0.5A


标记：2TY


额定值（TA=25℃，除非另有说明）


符号参数值单位


VCBO集电极基极电压-40 V


VCEO集电极-发射极电压-25 V


VEBO发射极基极电压-5 V


IC集电极电流-连续-0.5 A


PC集电极功耗0.3 W


Tj结温150℃


Tstg储存温度-55-150℃


电气特性（Tamb=25℃，除非另有规定）


参数符号测试条件单位


集电极基极击穿电压V（BR）CBO IC=-100μA，IE=0-40 V


集电极-发射极击穿电压V（BR）CEO IC=-1mA，IB=0-25V


发射极-基极击穿电压V（BR）EBO IE=-100μA，IC=0-5 V


集电极截止电流ICBO VCB=-40V，IE=0-0.1μA


集电极截止电流ICEO VCE=-20V，IB=0-0.1μA


发射极截止电流IEBO VEB=-3V，IC=0-0.1μA


hFE（1）VCE=-1V，IC=-50mA 200 350


直流电流增益


hFE（2）VCE=-1V，IC=-500mA 50


集电极-发射极饱和电压VCE（sat）IC=-500mA，IB=-50mA-0.6V


基极发射极饱和电压VBE（sat）IC=-500mA，IB=-50mA-1.2V


过渡频率


VCE=-6V，IC=-20mA


f=30MHz


150兆赫