KU310N10D-RTF N沟道MOS场效应管 100V 27A 芯片技术参数：
品牌： KEC
型号：KU310N10D-RTF/H
封装：DPAK(1)
最小包装数:3000片/包
连续漏极电流（Id）（25°C 时）:27A(Tc)
漏源电压（Vdss）:100V
栅源极阈值电压:4V @ 250uA
漏源导通电阻:31 mΩ @ 13.5A,10V
类型:N 沟道
最大功率耗散（Ta）:52W(Tc)
KU310N10D-RTF N沟道MOS场效应管 100V 27A参数及规格书资料：
N沟道MOSFET具有更好的特性，如开关时间、电阻、低栅电荷等优异的雪崩特性。适用于DC/DC转换器，同步整流和负载开关电池供电应用
KU310N10D-RTF N沟道MOS场效应管 100V 27A应用领域：
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