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电容器在电源中的应用之浪涌电压保护

开关频率很高的现代功率半导体器件易受潜在的损害性电压尖峰脉冲的影响。跨接在功率半导体器件两端的浪涌电压保护电容器通过吸收电压脉冲限制了峰值电压，从而对半导体器件起到了保护作用，CBB81电容，使得浪涌电压保护电容器成为功率元件库中的重要一员。

半导体器件的额定电压和电流值及其开关频率左右着浪涌电压保护电容器的选择。由于这些电容器承受着很陡的DV/DT值，扬州电容，因此，对于这种应用而言，薄膜电容器是恰当之选。

陶瓷电容的制作原理是什么

用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，CBB28电容，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

向陶瓷电容器施加超过其额定电压的电压，会导致短路故障还是开路故障

一般来说，FILM电容，向电容器施加过量电压后都会导致短路故障。片状独石陶瓷电容器的损坏电压为其额定电压的5~10倍以上，稍高于额定电压的外加电压很难对电容器造成瞬间损坏。

但在使用中如向电容器施加的电压超过其额定电压，则不在保修范围之内。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。