当台积电和三星的3nm工艺在云端大规模生产时，英特尔宣布其英特尔4工艺也将在今年下半年大规模生产，因此台积电和三星的3nm工艺的领先优势可能会成为一个泡沫。
近年来，台积电和三星几乎保持了1-2年升级一代芯片制造BA15218技术的步伐。到目前为止，他们投入的最先进技术是5nm，而英特尔在去年年底投入了10nm；今年下半年台积电和三星量产3nm，而英特尔量产7nm。
从纳米技术的数量来看，英特尔无疑远远落后于台积电和三星，但这只是它们在命名上的差异。然而，就芯片制造技术的实际性能而言，差距并不像名字那么大，英特尔甚至略领先于三星。
对于芯片制造工艺的性能，台湾媒体digitimes去年根据晶体管的密度给出了不同的评论，比较了英特尔。台积电。三星三家芯片制造厂的工艺。根据晶体管的密度，英特尔的10nm工艺达到每平方毫米1.06亿个晶体管，而台积电三星的7nm工艺分别为每平方毫米0.97.0.95亿个晶体管。
而且越是先进的技术，三者之间的差距就越大。digitimes认为，英特尔的7nm技术相当于台积电的5nm技术，而三星的5nm技术落后台积电四分之一。预计三星的3nm技术可以达到台积电5nm技术和英特尔7nm技术的密度。
英特尔在芯片制造过程中遭受了损失，因此英特尔的新CEO基辛格也开始按照台积电和三星的命名规则更名其芯片制造过程，10nm工艺更名为英特尔7工艺，7nm工艺更名为英特尔4工艺。
目前，英特尔、台积电、三星在芯片制造过程中展开了激烈的竞争。英特尔预计在今年下半年大规模生产英特尔4工艺后，仅落后于台积电，但领先于三星。力争提前量产英特尔20和英特尔18A工艺，力争在2025年量产英特尔18A工艺。
台积电也不甘示弱，台积电加速了其2nm工艺进程，预计2024年量产2nm，比原计划提前一年；目前3nm工艺研发团队立即转入1.4nm工艺研发，力争在2025年量产，以保持对英特尔的领先优势。
然而，在英特尔的支持下，美国计划优先向包括英特尔在内的美国公司提供520亿美元的芯片补贴在内的美国公司提供520亿美元的芯片补贴。台积电和三星在满足美国要求后，可能无法在美国设立工厂；与此同时，在美国的要求下，ASML还扩大了在美国的工厂规模，并优先向英特尔提供了第二代EUV光刻机。
在诸多因素的影响下，台积电能否加速2nm、1.4nm技术的研发存在疑问。面对各种困难，台积电已经悄然减少了对美国芯片的依赖。今年第一季度，中国大陆芯片的收入占比达到11%，比去年增长了6%。台积电似乎意识到中国大陆芯片的重要性，希望依靠中国大陆芯片来平衡美国芯片。
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