S8550晶体管（PNP）
S8550
S8550
特征
集电极电流：IC=0.5A
标记：2TY
额定值（TA=25℃，除非另有说明）
符号参数值单位
VCBO集电极基极电压-40 V
VCEO集电极-发射极电压-25 V
VEBO发射极基极电压-5 V
IC集电极电流-连续-0.5 A
PC集电极功耗0.3 W
Tj结温150℃
Tstg储存温度-55-150℃
电气特性（Tamb=25℃，除非另有规定）
参数符号测试条件单位
集电极基极击穿电压V（BR）CBO IC=-100μA，IE=0-40 V
集电极-发射极击穿电压V（BR）CEO IC=-1mA，IB=0-25V
发射极-基极击穿电压V（BR）EBO IE=-100μA，IC=0-5 V
集电极截止电流ICBO VCB=-40V，IE=0-0.1μA
集电极截止电流ICEO VCE=-20V，IB=0-0.1μA
发射极截止电流IEBO VEB=-3V，IC=0-0.1μA
hFE（1）VCE=-1V，IC=-50mA 200 350
直流电流增益
hFE（2）VCE=-1V，IC=-500mA 50
集电极-发射极饱和电压VCE（sat）IC=-500mA，IB=-50mA-0.6V
基极发射极饱和电压VBE（sat）IC=-500mA，IB=-50mA-1.2V
过渡频率
VCE=-6V，IC=-20mA
f=30MHz
150兆赫