FQP10N60C, FQPF10N60C
标准包装：50
类别：分立半导体产品
家庭：FET - 单
系列：QFET
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：9.5A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：730 毫欧 @ 4.75A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：57nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：2040pF @ 25V
功率 - 最大值：50W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 整包
供应商器件封装：TO-220
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