AOS/美国万代 AO4296 SOP-8 低压 贴片
AOS/美国万代 AO4296 SOP-8 低压 贴片
AOS/美国万代 AO4296 SOP-8 低压 贴片
数据列表AO4296;
标准包装 3,000
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列AlphaSGT™
规格FET 类型N 沟道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）13.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）8.3 毫欧 @ 13.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）60nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）3130pF @ 50V
FET 功能-
功率耗散（最大值）3.1W（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装8-SOIC
封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）