型号/规格： IPB120P04P4-04
特英飞凌Infineon场效应管MOS管IPB120P04P4-04
- P 通道 - 正常电平 - 增强模式
- 符合AEC
- MSL1 峰值回流温度高达 260°C
- 175°C 的工作温度
- 环保封装（符合 RoHS）
- 100% 经过雪崩测试
优势
- 高边驱动无需电荷泵。
- 简单的接口驱动电路
- 40V 时， RDSon 为世界极低值
- 极高的冲击电流能力
- 极低的开关功耗和传导功率损耗，造就极高的热效率
- 稳固的封装，出色的品质，高可靠性
- 标准封装 TO-252、TO-263、TO-220、TO-262
潜在应用 - 用于电机桥的高边 MOSFET（半桥、H 桥、三相电机）
- 采用40V P 通道作为高边器件，无需电荷泵即可实现桥配置
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英飞凌Infineon场效应管MOS管IPB120P04P4-04