- IRF730特点
- 编辑本段
晶体管*性:N
电压, Vds *大:350V
开态电阻, Rds(on):1ohm
功耗:36W
封装类型:TO-220
针脚数:3
功率, Pd:36W
单脉冲雪崩能量 Eas:300mJ
封装类型:TO-220 (SOT-78B)
封装类型, 替代:SOT-78B
引脚节距:2.54mm
总功率, Ptot:36W
时间, trr 典型值:280ns
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电容值, Ciss 典型值:530pF
电流, Id 连续:2A
电流, Idm 脉冲:22A
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:1ohm
针脚格式:1G, (2 Tab)D, 3S
针脚配置:a
阈值电压, Vgs th :2V
阈值电压, Vgs th *高:4V