KU310N10D-RTF N沟道MOS场效应管 100V 27A 芯片技术参数：
品牌： KEC
型号：KU310N10D-RTF/H
封装：DPAK(1)
最小包装数:3000片/包
连续漏极电流（Id）（25°C 时）:27A(Tc)
漏源电压（Vdss）:100V
栅源极阈值电压:4V @ 250uA
漏源导通电阻:31 mΩ @ 13.5A,10V
类型:N 沟道
最大功率耗散（Ta）:52W(Tc)
KU310N10D-RTF N沟道MOS场效应管 100V 27A参数及规格书资料：
N沟道MOSFET具有更好的特性，如开关时间、电阻、低栅电荷等优异的雪崩特性。适用于DC/DC转换器，同步整流和负载开关电池供电应用
KU310N10D-RTF N沟道MOS场效应管 100V 27A应用领域：
深圳丹铭电子专注于电子元器件行业已有15年，主打车载影音系统和周边配套芯片解码，功放，收音等领域市场，并可为客户提供专业的一站式BOM配单服务。
公司所售产品均为原厂原装，拒绝以次充好，我们拥有强大的专业团队，稳定
的货源渠道，公司具备终端客户长期供货能力，可以为广大客户提供优质，快捷，
稳定的芯片渠道！欢迎来电咨询，期待和您共同成长！！