描述
NP2300采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)通用特性、低栅极电荷和高密度电池设计，以实现超低电阻。
该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。
一般特征
VDS =20V，ID=5A RDS(ON)(Typ.)=32mΩ @VGS=2.5V RDS(ON)(Typ.)=26mΩ @VGS
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面安装包
应用
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 供应NP2300 20VN通道增强模式MOSFET
详细信息 型号/规格： NP2300
描述 NP2300采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)通用特性、低栅极电荷和高密度电池设计，以实现超低电阻。 该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。 一般特征 VDS =20V，ID=5A RDS(ON)(Typ.)=32mΩ @VGS=2.5V RDS(ON)(Typ.)=26mΩ @VGS 高功率和电流处理能力 获得无铅产品 表面安装包 应用
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技术支持：中国电工电器