| 品种类 | MOSFET | 配置: | Single |
| 制造商: | Toshiba | 通道模式: | Enhancement |
| RoHS: | 详细信息 | 封装: | Reel |
| 技术: | Si | 商标: | Toshiba |
| 安装风格: | SMD/SMT | 下降时间: | 7 ns |
| 封装 / 箱体: | TO-262-3 | 高度: | 10.4 mm |
| 通道数量: | 1 Channel | 长度: | 10 mm |
| 晶体管极性: | N-Channel | Pd-功率耗散: | 130 W |
| Vds-漏源极击穿电压: | 650 V | 上升时间: | 40 ns |
| Id-连续漏极电流: | 13.7 A | 系列: | TK14G65W |
| Rds On-漏源导通电阻: | 250 mOhms | 工厂包装数量: | 1000 |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 3 V | 典型关闭延迟时间: | 110 ns |
| Vgs - 栅极-源极电压: | 30 V | 典型接通延迟时间: | 90 ns |
| Qg-栅极电荷: | 40 nC | 宽度: | 4.5 mm |
| 最小工作温度: | - 55 C | 单位重量: | 4 g |
| 最大工作温度: | + 150 C | |