| 数据列表 | IPB042N10N3 G, IP(I,P)045N10N3 G |
|---|---|
| 产品相片 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压（Vdss） | 100V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 100A（Tc） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 4.5 毫欧 @ 100A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3.5V @ 150μA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 117nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 8410pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 214W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |