1.mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—*缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
2.主要参数
1).开启电压VT
·开启电压（又称阈值电压）：使得源*S和漏*D之间开始形成导电沟道所需的栅*电压；
·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；
·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
2). 直流输入电阻RGS
·即在栅源*之间加的电压与栅*电流之比
·这一特性有时以流过栅*的栅流表示
·MOS管的RGS可以很容易地*过1010Ω。
3). 漏源击穿电压BVDS
·在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS
4）. 栅源击穿电压BVGS
·在增加栅源电压过程中，使栅*电流IG由*开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。