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首页 > 供应产品 > 可控硅 BT137/600E
可控硅 BT137/600E
单价 面议对比
询价 暂无
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发货 广东东莞市
过期 长期有效
更新 2022-05-28 17:55
 
详细信息
品牌/商标: ZQC


1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。   当阳*A加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状态。此时,如果从控制*G输入一个正向触发信号,BG2便有基流ib2流过,经BG2放大,其集电*电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电*直接与BG1的基*相连,所以ib1=ic。   2。此时,电流ic2再经BG1放大,于是BG1的集电*电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基*,表成正反馈,使ib2不断*,如此正向馈循环的结果,两个管子的电流剧增,可控硅使饱和导通。   由于BG1和BG2所构成的正反馈作用,所以一旦可控硅导通后,即使控制*G的电流消失了,可控硅仍然能够维持导通状态,由于触发信号只起触发作用,没有关断功能,所以这种可控硅是不可关断的。   由于可控硅只有导通和关断两种工作状态,所以它具有开关特性,这种特性需要*的条件才能转化,条件如下:   A、从关断到导通1、阳*电位高于是阴*电位,2、控制*有*的正向电压和电流,两者*。   B、维持导通1、阳*电位高于阴*电位,2、阳*电流大于维持电流,两者*。   C、从导通到关断1、阳*电位低于阴*电位,2、阳*电流小于维持电流,任一条件即可。   触发导通   在控制*G上加入正向电压时因J3正偏,P2区的空穴时入N2区,N2区的电子进入P2区,形成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈作用的基础上,加上IGT的作用,使可控硅提前导通,导致伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。

厂家供应可控硅BT137/600E等型号,欢迎新老顾客前来咨询垂惠!

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