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NTJD4001NT1G ON Semiconductor (安森美) MOS管

单价	面议对比
询价	暂无
浏览	255
发货	北京
过期	长期有效
更新	2022-05-28 16:23

详细信息

型号/规格： NTJD4001NT1G

技术参数

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

250 mA

漏源极电阻

1.50 Ω

极性

Dual N-Channel

耗散功率

0.272(W)

漏源极电压(Vds)

30.0 V

漏源击穿电压

30.0 V

栅源击穿电压

-20.0 V to 20.0 V

连续漏极电流(Ids)

250 mA

封装参数

安装方式

Surface Mount

引脚数

封装

SOT-363

外形尺寸

封装

SOT-363

其他

产品生命周期

Active

包装方式

Cut Tape (CT)

制造应用

Power Management, Industrial, 电源管理, 工业, 车用, Automotive

符合标准

RoHS标准

Compliant

含铅标准

Lead Free

REACH SVHC标准

No SVHC

海关信息

ECCN代码

EAR99

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