●1999年，西门子半导体集团独立上市，形成英飞凌科技公司。 ●2000年，英飞凌推出沟槽栅+场终止技术，即Trench StopTM IGBT3芯片，它是当今两种先进的IGBT芯片生产技术的杰出组合。 ●2001年，英飞凌CoolMOSTM和IGBT芯片技术荣获德国贸易与工业革新奖，被誉为德国2001年最佳技术革新。 ●2002年，英飞凌推出倍受关注的SiC材料肖特基二极管（ThinQ！）。 ●2004年，英飞凌推出无磁芯变压器驱动IC，将变压器集成在半导体芯片上，即CLT技术IGBT驱动IC。 ●2005年，英飞凌推出600V，六单元SOI技术驱动IC。 ●2006年，EUPEC全面融入英飞凌公司，EUPEC成为英飞凌大功率半导体器件部。 ●2007年，英飞凌推出IGBT4芯片，Tjmax=175℃。封装有IGBT4芯片的PrimePACK进入市场，英飞凌PrimePACK IGBT模块在中大功率应用中具有较强的竞争力。 ●2008年，英飞凌和西门子电力集团合资成立了英飞凌双极型公司，专业生产大功率晶闸管、电力二极管、LTT等双极型电力半导体器件。产品采用英飞凌商标。 英飞凌IGBT很重视全球市场，并在全球设立营销网络网点，在中国市场，富凌联合（Fuling Unite）是英飞凌IGBT在中国指定代理，也是英飞凌IGBT的很重要的合作伙伴，双方愿意共同努力，推动英飞凌IGBT在中国市发展。
富凌联合荣获2009年英飞凌IGBT中国大陆客户最佳评审奖； 富凌联合荣获2010年英飞凌IGBT中国大陆业务最快增长率奖； 富凌联合荣获2011年英飞凌IGBT中国大陆产品推广最佳贡献奖。 英飞凌工业与汽车应用中的半导体器件。英飞凌功率半导体具有产品范围十分广泛，生产经营历史长，竞争力强的优势，其市场份额位居全球首位。