Silanna Semiconductor

 
点击 52回复 0 原帖 2021-05-26 11:25

 

高可靠性、高性能氮化镓(GaN)功率转换产品的先驱和全球供应商Transphorm, Inc. (OTCQB: TGAN)和功率密度领导者Silanna Semiconductor今天宣布推出一项世界一流的GaN电源适配器参考设计。该解决方案是一款采用开放式架构的65W USB-C Power Delivery (PD)充电器,结合了Transphorm的SuperGaN®第四代平台(Gen IV)与Silanna Semiconductor专有的有源钳位反激式(ACF) PWM控制器。这两项技术的结合产生了前所未有的94.5%的峰值效率和30W/in3的无封装功率密度。这些性能水平超过了目前使用硅超结MOSFET或e-mode GaN晶体管的同类解决方案,而且还利用了Transphorm更小的GaN FET。Silanna Semiconductor和Transphorm的通用GaN适配器设计是为笔记本电脑、平板电脑、智能手机和其他物联网设备供电的理想选择。


一流技术实现一流性能


新的参考设计以Transphorm和Silanna Semiconductor的先进技术为依托。SuperGaN FET是Transphorm的TP65H300G4LSG,这是一种采用工业标准PQFN88封装的650 V 240 mΩ器件。它利用SuperGaN第四代平台,该平台使用先进的外延片(EPI)和专利设计技术来提高性能。坚固的GaN FET还具有Transphorm器件的高可靠性,包括业界顶级的栅极坚固性。而且,不同于增强型(e-mode)器件,GaN FET不需要额外的偏置轨或电平转换器等保护性外部电路——这一优势可以提高效率。这些特性和其他功能进一步提高了适配器系统的整体功率密度,并降低材料清单(BoM)成本。


Silanna Semiconductor的SZ1130是世界上第一款完全集成的ACF PWM控制器,将自适应数字PWM控制器、有源钳位FET、有源钳位栅极驱动器和UHV启动稳压器集于一体。作为ACF解决方案,它提供比竞争对手的准谐振(QR)控制器更高的性能,并且在市场上所有ACF控制器中以极小的PCB面积提供极简单的设计。Silanna Semiconductor的技术不可知性设计专注于最终的电源管理挑战,具有一流的功率密度和效率,以前所未有的BoM成本节省令客户满意。


Transphorm现场应用与技术销售副总裁Tushar Dhayagude表示:“通过将我们的SuperGaN®器件与Silanna Semiconductor新颖和高度集成的有源钳位反激式控制器相搭配,Transphorm和Silanna Semiconductor可以为USB-C PD适配器客户提供基于GaN的全面参考解决方案所具有的顶级性能。众所周知,我们的GaN FET可以提高效率,降低功耗,减小AC/DC充电器尺寸,特别是与同类增强型GaN和集成式GaN IC解决方案相比,具有明显优势。双方的合作可谓两家创新企业的强强结合,将对GaN在全球电源适配器中的应用产生积极的影响。”


Silanna Semiconductor营销总监Ahsan Zaman表示:“我们的ACF控制器用途广泛,为充电器制造商提供设计灵活性,使他们可以选择自己喜欢的FET技术。结合我们的SZ1130和Transphorm的TP65H300G4LSG,ACF控制器可带来94.5%的效率,达到业界领先的性能。Silanna Semiconductor能够将自身的知识和专长与技术生态系统合作伙伴相结合,进一步推进获取一流的效率和功率密度成果,提供一些世界上极具创新性的产品,这让我们倍感振奋。”


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